RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
56
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1598
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link