RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link