RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link