RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link