RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
72
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1817
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link