RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F24EB8GS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3017
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Super Talent F24EB8GS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link