RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3741
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link