RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
24
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2534
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link