RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3372
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link