RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
25
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2889
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link