RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
25
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
25
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
2889
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link