RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
79
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1710
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link