RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,131.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,710.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,131.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2880
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link