RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2050
3568
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link