Porównanie pamięci RAM Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 47

Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16 11.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 9.2

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2323 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns