RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1886
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link