RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3444
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Jinyu 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link