RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3444
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link