RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2243
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link