RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3702
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link