RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
126
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
126
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1108
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link