RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3098
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link