RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2104
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link