RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3075
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link