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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.1
15.8
写入速度,GB/s
8.6
13.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3075
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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