RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3564
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link