RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2073
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link