RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3540
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link