RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,034.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,295.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,034.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
650
1897
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link