RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
36
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
36
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3169
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link