RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
2829
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link