RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
1609
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link