RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2163
1440
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link