RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2163
1440
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link