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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
77
读取速度,GB/s
13.2
13.1
写入速度,GB/s
8.4
5.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
1440
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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