RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2935
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link