RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3451
2808
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link