Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Средняя оценка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Причины выбрать
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 37

Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.8 12.6

Среднее значение в тестах

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 14.4

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 37
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 16.0
Скорость записи, Гб/сек

12.8 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3451 2808

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM