RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
2586
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link