RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
3177
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link