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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
45
读取速度,GB/s
14.6
14.9
写入速度,GB/s
8.8
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3177
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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