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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
41
读取速度,GB/s
10.6
15.4
写入速度,GB/s
6.8
10.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2993
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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