RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2943
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link