RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2348
3379
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link