RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3429
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link