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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3429
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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