RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
2236
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link