RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2654
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link