RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
2734
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link