Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    20 left arrow 31
    Wokół strony 35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.5 left arrow 17
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.5 left arrow 11.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 10600
    Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    20 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.0 left arrow 20.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.5 left arrow 15.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3077 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania