Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

総合得点

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

総合得点

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

考慮すべき理由
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

20 31

周辺 35% 低遅延

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 17

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.5 11.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 10600

周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

20 31
読み出し速度、GB/s

17.0 20.5
書き込み速度、GB/秒

11.5 15.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 25600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3077 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

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Kingston 9905624-046.A00G 8GB

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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB

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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

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